GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法

GB/T 17170-2015 是一种用来测量和评价半导体材料中硼原子（Ga）含量的方法。这个标准用于检查单晶玻璃基板（EL2）中的硼原子的浓度。
在该标准中，主要被描述了两种主要的标准：Eur性和Intermittance。Eur性标准用于比较多种硼原子在半绝缘砷化镓单晶极化的红外吸收特性。而Intermittance标准则是根据晶体上的硼原子吸收光谱来判断波长范围的边界值。
该标准分为两个部分：分离分层和极限分析。首先，在单晶玻璃基板上进行分层操作，将分散到多个波长下的硼原子分别标记出来。然后，在每个波长下运行电子发射检测设备，以测量样品在这些波长下的吸收强度。
最后，基于所有的波长，评估其在整个样品中的平均吸光度，并计算出总分层面积以及整个样品所需的平均吸光度，即极限分析的结果。
总的来说，GB/T 17170-2015是一种测量和评价硼原子含量的标准，通过这种方法可以确保在确定产品中的硼原子含量时的准确性。
GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法标准
GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法标准是用于测量EL2在不同温度下的红外吸收能力。该标准适用于生产中使用半绝缘砷化镓单晶材料的行业，包括但不限于半导体工业、电子制造等。
技术指标：
- 测量范围：从0到28°C（40℃~90℃） - 测量周期：24小时 - 比例等级：3级 - 测量精度：1纳米
应用范围：
- 产品质量监控：用于判断EL2在不同环境下是否稳定或失效 - 设备安全：用于检查设备是否具有适当的防护性能，如热保护措施 - 工艺优化：用于根据产品特性调整设计参数，提高效率和质量
注意事项：
- 在进行此测定时，应确保环境温度符合测试条件。 - 标准规定的参考数据应在任何测量之前作好准备。 - 应遵循相关法规和标准，以确保产品的安全性。
GB/T 17170-2015 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法流程
步骤如下：
1. 根据样品的要求，准备样品的半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试样品。
2. 将样品装入一个烧杯中，加入适量的水以保持样品的湿润性。
3. 将样品放入一个磁敏管中（可以使用MCD4836）以增强测量范围和灵敏度。
4. 在调节好磁场和温度后，打开烧杯，将样品放入磁敏管中。然后慢慢调整磁场，使样品能均匀分布于磁敏管内。
5. 使用热电偶进行数据采集，直到被检测到红外吸收峰时为止。
6. 在读取实验结果时，确保无误。
7. 记录下每种样品所对应的样品温度、电压和磁场值，以便后续分析。
请注意，具体的测量步骤可能会因实验条件和设备的不同而略有差异。在操作过程中，请务必遵循相关安全规定和指导，避免对设备造成损坏或伤害。