半导体器件低气压试验

健明迪检测提供的半导体器件低气压试验,试验标准 GB/T4937.1-2006半导体器件机械和气候试验方法第1部分:总则 GB/T4937.2-2006半导体器件机械和气候试验方法第2部分:低气压 ,具有CMA,CNAS资质。
半导体器件低气压试验
试验标准
GB/T 4937.1-2006 半导体器件机械和气候试验方法 第1部分:总则
GB/T 4937.2-2006 半导体器件机械和气候试验方法 第2部分:低气压
IEC 60068-2-13环境试验第2 部分:试验M:低气压
试验背景
半导体器件低气压试验目的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力,而这种失效是由于气压减小时,空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。半导体器件低气压试验仅适用于工作电压超过1 000 V的器件。
健明迪检测环境可靠性实验中心拥有各种半导体器件机械和气候试验设备,具备低气压试验能力,为半导体器件、设备提供专业的低气压试验服务。
半导体器件低气压试验机构
健明迪检测环境可靠性实验中心拥有各种半导体器件机械和气候试验设备,具备低气压试验能力,为半导体器件、设备提供专业的低气压试验服务。
试验方式
样品应按规定放置在密封室内,并按规定把气压减小到某个试验条件。把样品保持在规定的气压下,对它们进行规定的试验。 在试验期间及试验前的20 min内,试验温度应为25C±10C。
对器件施加规定的电压,在从常压到规定的最低气压并恢复到常压的整个过程中监测器件是否出现故障。
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